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Mélange : Mélanger les oeufs et le sucre jusqu'à que le melange forme des rubans après la cuillère. Ajouter la farine et la levure, puis les graines d'anis. Beurrer, puis fariner les plaques de cuissons. Y Disposer la pate en petit tas d'une cuillère à café. Séchage : Laisser sécher les gateaux jusqu'a ce qu'ils soient secs et croutés superficiellement (soit environ au moins 12h à 20°C et moins de 40% d'humidité relative). gateaux après séchage  gateaux après cuisson et séchage insuffisant  gateaux après cuisson et séchage suffisant  Cuisson : 10 min à thermostat 6 ou 180°C four préchauffré. Demouler à froid. Astuces :
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Anis bretle 